Interne Teilenummer | RO-NSVEMC2DXV5T1G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-553 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 22 kOhms |
Leistung - max: | 500mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-553 |
Andere Namen: | NSVEMC2DXV5T1G-ND NSVEMC2DXV5T1GOSTR |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |