Interne Teilenummer | RO-NSVDTC123JM3T5G |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-723 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
Leistung - max: | 260mW |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |