FDD3510H
- Artikelnummer:
- FDD3510H
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 69846 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FDD3510H.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-FDD3510H |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252-4L |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Leistung - max: | 1.3W |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Andere Namen: | FDD3510HDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.3A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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