Nejnovější zboží

Transformátory řady VGT

Transformátory řady TDK VGT pro IGBT / FET mají feritové jádro s vysokou hustotou nasycení a jsou kompatibilní s AEC-Q200

TDK's VGT Series Transformer Transformátory řady TDK VGT byly navrženy pro použití v napájecích zdrojích měničů s pohonem inteligentního výkonového modulu (IPM). K dispozici jsou výstupy od jednoho do šesti, v závislosti na čísle dílu. Transformátory řady VGT jsou kompatibilní s AEC-Q200 a používají feritové jádro s vysokou hustotou nasycení.

K dispozici jsou různé velikosti pouzder, s rozměry tak malými jako 13,9 mm x 15,3 mm a indukčnostmi v rozsahu od 2,5 µH do 10 µH. Napětí dielektrické pevnosti je 2,6 kV a rozsah provozních teplot je -40 ° C až + 130 ° C (včetně nárůstu vlastní teploty).

Funkce

Díky použití feritového jádra s vysokou hustotou nasycení je možné malé provedení pouzdra
Dielektrické napětí je 2,6 kV
Provozní teplota: -40 ° C až + 130 ° C (včetně zvýšení vlastní teploty)

Skladovací teplota (po připojení desky PC): -40 ° C až + 130 ° C
Kompatibilní s AEC-Q200

Aplikace

Pro inteligentní napájecí modul pohání napájení invertorového motoru

Transformátory řady VGT

Číslo dílu výrobce	Popis	Velikost / rozměr	Výška - Sedící (Max)	dostupné množství	Zobrazit podrobnosti
VGT12EEM-200S1A4	TRANSFORMÁTORY PRO IGBT / FET	0,535 "L x 0,425" W (13,60 mm x 10,80 mm)	0,394 "(10,00 mm)	148 - Okamžité	Zobrazit podrobnosti
VGT15SEFD-200S1A4	TRANSFORMÁTORY PRO IGBT / FET	0,614 "L x 0,606" W (15,60 mm x 15,40 mm)	0,394 "(10,00 mm)	200 - Okamžitě	Zobrazit podrobnosti
VGT15EFD-200S3A6	TRANSFORMÁTORY PRO IGBT / FET	0,787 "L x 0,709" W (20,00 mm x 18,00 mm)	0,402 "(10,20 mm)	180 - Okamžitě	Zobrazit podrobnosti
VGT15SEFD-250S4A7	TRANSFORMÁTORY PRO IGBT / FET	0,906 "L x 0,606" W (23,00 mm x 15,40 mm)	0,472 "(12,00 mm)	150 - Okamžitě	Zobrazit podrobnosti
VGT22EPC-200S6A12	TRANSFORMÁTORY PRO IGBT / FET	1,299 "L x 0,976" W (33,00 mm x 24,80 mm)	0,539 "(13,70 mm)	60 - Okamžitě	Zobrazit podrobnosti