FQD4P25TM-WS
- Номер на частта:
- FQD4P25TM-WS
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 81225 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- FQD4P25TM-WS.pdf
Въведение
We can supply FQD4P25TM-WS, use the request quote form to request FQD4P25TM-WS pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQD4P25TM-WS.The price and lead time for FQD4P25TM-WS depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQD4P25TM-WS.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-FQD4P25TM-WS |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | D-Pak |
| серия: | QFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Опаковка: | Original-Reel® |
| Пакет / касета: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Други имена: | FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSDKR-ND |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 9 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 250V |
| Подробно описание: | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за FQD4P25TM-WS
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)