Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > APT4M120K
APT4M120K
Номер на частта:
APT4M120K
Производител:
Microsemi
описание:
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
70350 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
APT4M120K.pdf
Разследване

Въведение

We can supply APT4M120K, use the request quote form to request APT4M120K pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT4M120K.The price and lead time for APT4M120K depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT4M120K.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-APT4M120K
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:TO-220 [K]
серия:-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 2A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):225W (Tc)
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-220-3
Други имена:APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:1385pF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:43nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):1200V
Подробно описание:N-Channel 1200V 5A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APT4M120K

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APT5010JVRU3 Image APT5010JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Разследване
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Разследване
APT5010JLLU3 Image APT5010JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Разследване
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Разследване
APT5010LLLG Image APT5010LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Разследване
APT5012JN Microsemi MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP Разследване
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Разследване
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Разследване
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Разследване
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Разследване
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Разследване
APT5014B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 500V T-MAX Разследване
APT5010LFLLG Image APT5010LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Разследване
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Разследване
APT5010JVRU2 Image APT5010JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Разследване
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Разследване
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Разследване
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Разследване
APT5010B2LLG Image APT5010B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Разследване
APT5010JLLU2 Image APT5010JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 Разследване

Latest News