Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - IGBT - модули > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
Номер на частта:
APT47GA60JD40
Производител:
Microsemi
описание:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
49990 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
APT47GA60JD40.pdf
Разследване

Въведение

We can supply APT47GA60JD40, use the request quote form to request APT47GA60JD40 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT47GA60JD40.The price and lead time for APT47GA60JD40 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT47GA60JD40.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-APT47GA60JD40
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.):87A
Напрежение - Разбивка:ISOTOP®
Vce (включено) (Max) @ Vge, Ic:PT
Vce насищане (Max) @ Ib, Ic:600V
серия:POWER MOS 8™
Мощност - макс:283W
поляризация:SOT-227-4, miniBLOC
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистор:Standard
Тип монтаж:Chassis Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Номер на частта на производителя:APT47GA60JD40
Капацитет на вход (Cies) @ Vce:2.5V @ 15V, 47A
Вход:6.32nF @ 25V
Разширено описание:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
описание:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
DC ток на печалба (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce:275µA
Текущ - колектор пулсиращ (Icm):No
Контакт Завършване:Single
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APT47GA60JD40

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Разследване
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Разследване
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Разследване
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Разследване
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Разследване
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Разследване
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Разследване
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Разследване
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Разследване
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Разследване
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 Разследване
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Разследване
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Разследване
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Разследване
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Разследване
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Разследване
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Разследване
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Разследване
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Разследване
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Разследване

Latest News