RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT
رقم القطعة:
RN1910FE,LF(CT
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
52319 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
RN1910FE,LF(CT.pdf

المقدمة

We can supply RN1910FE,LF(CT, use the request quote form to request RN1910FE,LF(CT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1910FE,LF(CT.The price and lead time for RN1910FE,LF(CT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1910FE,LF(CT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-RN1910FE,LF(CT
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):-
المقاوم - قاعدة (R1):4.7 kOhms
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:250MHz
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات