RN1117MFV,L3F
- Số Phần:
- RN1117MFV,L3F
- nhà chế tạo:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Sự miêu tả:
- TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 48460 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- RN1117MFV,L3F.pdf
Giới thiệu
We can supply RN1117MFV,L3F, use the request quote form to request RN1117MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1117MFV,L3F.The price and lead time for RN1117MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1117MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-RN1117MFV,L3F |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Loại bóng bán dẫn: | NPN - Pre-Biased |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | VESM |
| Loạt: | - |
| Điện trở - Cơ sở Emitter (R2): | 4.7 kOhms |
| Điện trở - Cơ sở (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | SOT-723 |
| Vài cái tên khác: | RN1117MFVL3F |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 16 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số - Transition: | 250MHz |
| miêu tả cụ thể: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 10mA, 5V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho RN1117MFV,L3F
Latest Tin tức
- Toshiba đã phát triển mô -đun MOSFET kép 2200V đầu tiên của ngành để giúp hiệu quả và thu nhỏ các thiết bị công nghiệp
- Toshiba đã phát hành bộ ghép quang đầu ra bóng bán dẫn 200V đầu tiên
- TOSHIBA ra mắt tỷ lệ loại bỏ gợn sóng cao và bộ điều chỉnh LDO tiếng ồn thấp với độ ổn định đường dây điện cao hơn
- TOSHIBA đã giới thiệu bộ ghép quang nhẹ và mỏng cho ổ đĩa cổng IGBT và MOSFET, hoạt động ở nhiệt độ cao, vị trí mặt sau hoặc giới hạn độ cao: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA ra mắt IGBT rời rạc giúp giảm tiêu thụ điện năng và bức xạ của các thiết bị gia dụng: GT30J110SRA
- Toshiba ra mắt IC điều khiển động cơ 2 kênh H 5A cho các ứng dụng ô tô
- Toshiba ra mắt 5 bộ vi điều khiển tiên tiến dòng TXZ + ™ mới để đạt được mức tiêu thụ điện năng thấp, hỗ trợ thu nhỏ hệ thống và điều khiển động cơ