NSVMMUN2212LT1G
- Số Phần:
- NSVMMUN2212LT1G
- nhà chế tạo:
- ON Semiconductor
- Sự miêu tả:
- TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 86033 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- NSVMMUN2212LT1G.pdf
Giới thiệu
We can supply NSVMMUN2212LT1G, use the request quote form to request NSVMMUN2212LT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVMMUN2212LT1G.The price and lead time for NSVMMUN2212LT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVMMUN2212LT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-NSVMMUN2212LT1G |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Loại bóng bán dẫn: | NPN - Pre-Biased |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Loạt: | - |
| Điện trở - Cơ sở Emitter (R2): | 22 kOhms |
| Điện trở - Cơ sở (R1): | 22 kOhms |
| Power - Max: | 246mW |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vài cái tên khác: | NSVMMUN2212LT1G-ND NSVMMUN2212LT1GOSTR |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| miêu tả cụ thể: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 5mA, 10V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho NSVMMUN2212LT1G
Latest Tin tức
- Onsemi đã ra mắt bao bì thu phí đầu tiên trên thế giới 650 v silicon cacbua mosfet
- Bộ phát triển động cơ của ON Semiconductor tập trung vào hiệu quả năng lượng trước tiên
- Nền tảng lidar thời gian bay trực tiếp (dToF) của ống nhân quang silicon của ON Semiconductor cung cấp các thiết kế làm sẵn cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau
- ON Semiconductor và Theta Power Systems International thiết lập quan hệ đối tác cho các ứng dụng điều khiển động cơ
- ON Semiconductor bổ nhiệm Hassane El-Khoury làm Giám đốc điều hành (CEO) kế nhiệm