HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Số Phần:
- HN1B01FU-Y(L,F,T)
- nhà chế tạo:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Sự miêu tả:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 83029 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
Giới thiệu
We can supply HN1B01FU-Y(L,F,T), use the request quote form to request HN1B01FU-Y(L,F,T) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HN1B01FU-Y(L,F,T).The price and lead time for HN1B01FU-Y(L,F,T) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HN1B01FU-Y(L,F,T).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-HN1B01FU-Y(L,F,T) |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Loại bóng bán dẫn: | NPN, PNP |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | US6 |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 200mW |
| Bao bì: | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vài cái tên khác: | HN1B01FU-Y(LFT)CT |
| Nhiệt độ hoạt động: | 125°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số - Transition: | 120MHz |
| miêu tả cụ thể: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 2mA, 6V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho HN1B01FU-Y(L,F,T)
Latest Tin tức
- Toshiba đã phát triển mô -đun MOSFET kép 2200V đầu tiên của ngành để giúp hiệu quả và thu nhỏ các thiết bị công nghiệp
- Toshiba đã phát hành bộ ghép quang đầu ra bóng bán dẫn 200V đầu tiên
- TOSHIBA ra mắt tỷ lệ loại bỏ gợn sóng cao và bộ điều chỉnh LDO tiếng ồn thấp với độ ổn định đường dây điện cao hơn
- TOSHIBA đã giới thiệu bộ ghép quang nhẹ và mỏng cho ổ đĩa cổng IGBT và MOSFET, hoạt động ở nhiệt độ cao, vị trí mặt sau hoặc giới hạn độ cao: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA ra mắt IGBT rời rạc giúp giảm tiêu thụ điện năng và bức xạ của các thiết bị gia dụng: GT30J110SRA
- Toshiba ra mắt IC điều khiển động cơ 2 kênh H 5A cho các ứng dụng ô tô
- Toshiba ra mắt 5 bộ vi điều khiển tiên tiến dòng TXZ + ™ mới để đạt được mức tiêu thụ điện năng thấp, hỗ trợ thu nhỏ hệ thống và điều khiển động cơ