內部型號 | RO-SQ4917EY-T1_GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | 1910pF @ 30V |
電壓 - 擊穿: | 8-SO |
VGS(TH)(最大)@標識: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 8A (Tc) |
功率 - 最大: | 5W (Tc) |
極化: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TA) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | SQ4917EY-T1_GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 65nC @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特點: | 2 P-Channel (Dual) |
展開說明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | Standard |
描述: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 60V |
Email: | [email protected] |