內部型號 | RO-SI3900DV-T1-E3 |
---|---|
狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | - |
電壓 - 擊穿: | 6-TSOP |
VGS(TH)(最大)@標識: | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
系列: | TrenchFET® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2A |
功率 - 最大: | 830mW |
極化: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
製造商零件編號: | SI3900DV-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4nC @ 4.5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
FET特點: | 2 N-Channel (Dual) |
展開說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
漏極至源極電壓(Vdss): | Logic Level Gate |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20V |
Email: | [email protected] |