內部型號 | RO-IPB035N08N3 G |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | 8110pF @ 40V |
電壓 - 擊穿: | PG-TO263-2 |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(最大): | 6V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | OptiMOS™ |
RoHS狀態: | Digi-Reel® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 100A (Tc) |
極化: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
其他名稱: | IPB035N08N3 GDKR |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | IPB035N08N3 G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 117nC @ 10V |
IGBT類型: | ±20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 80V |
電容比: | 214W (Tc) |
Email: | [email protected] |