內部型號 | RO-IDH10G65C5ZXKSA1 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 峰值反向(最大): | Silicon Carbide Schottky |
電壓 - 正向(Vf)(最大): | 10A (DC) |
電壓 - 擊穿: | PG-TO220-2 |
系列: | thinQ!™ |
反向恢復時間(trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
電阻@,女: | 300pF @ 1V, 1MHz |
極化: | TO-220-2 |
其他名稱: | SP001128936 |
工作溫度 - 結: | 0ns |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IDH10G65C5ZXKSA1 |
展開說明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
二極管配置: | 180µA @ 650V |
描述: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
電流 - Vr時反向漏電: | 1.7V @ 10A |
電流 - 平均整流(Io)(每二極管): | 650V |
電容@ Vr,F時: | -55°C ~ 175°C |
Email: | [email protected] |