Dahili Parça Numarası | RO-SQJ469EP-T1_GE3 |
---|---|
Şart | Original New |
Ülke kökenli | Contact us |
En İyi İşaretleme | email us |
Değiştirme | See datasheet |
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 |
Dizi: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 25 mOhm @ 10.2A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 100W (Tc) |
paketleme: | Original-Reel® |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 |
Diğer isimler: | SQJ469EP-T1-GE3DKR SQJ469EP-T1-GE3DKR-ND SQJ469EP-T1_GE3DKR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 6V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
Detaylı Açıklama: | P-Channel 80V 32A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |