SQJ244EP-T1_GE3
- Parça Numarası:
- SQJ244EP-T1_GE3
- Üretici firma:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Açıklama:
- MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 87375 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- SQJ244EP-T1_GE3.pdf
Giriş
We can supply SQJ244EP-T1_GE3, use the request quote form to request SQJ244EP-T1_GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SQJ244EP-T1_GE3.The price and lead time for SQJ244EP-T1_GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SQJ244EP-T1_GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-SQJ244EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç - Max: | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Diğer isimler: | SQJ244EP-T1_GE3TR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 47 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Özelliği: | Standard |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SQJ244EP-T1_GE3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI, endüstrinin önde gelen 10MB otomobil Ethernet teknolojisini başlatmak için BMW Group ile işbirliği yapıyor ve yazılım tanımı otomobillerinde yeni bir bölüm açıyor
- Vishay, Endüstriyel ve Ses Uygulama Tasarımını Basitleştirerek ve Maliyetleri Optimize Eden Knob Potansiyometresini başlattı
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı
- Vishay, yeni 10 MBD düşük güçlü ışık kuplajını başlattı, 5 Ma kadar düşük, voltaj aralığı 2.7 V ila 5.5 V
- Melexis, güvenilir güvenliği entegre etmek için yeni bir akıllı yönlendirme çözümü başlattı
- Toshiba, endüstriyel ekipmanların verimli ve minyatürleştirilmesine yardımcı olmak için endüstrinin ilk 2200V çift -karbür mosfet modülünü geliştirdi.