SIHP28N65EF-GE3
SIHP28N65EF-GE3
Parça Numarası:
SIHP28N65EF-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
stok adedi:
77951 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Üretim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SIHP28N65EF-GE3.pdf

Giriş

We can supply SIHP28N65EF-GE3, use the request quote form to request SIHP28N65EF-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHP28N65EF-GE3.The price and lead time for SIHP28N65EF-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHP28N65EF-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Dahili Parça Numarası RO-SIHP28N65EF-GE3
Şart Original New
Ülke kökenli Contact us
En İyi İşaretleme email us
Değiştirme See datasheet
Id @ Vgs (th) (Max):4V @ 250µA
Vgs (Maks.):±30V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:TO-220AB
Dizi:-
Id, VGS @ rds On (Max):117 mOhm @ 14A, 10V
Güç Tüketimi (Max):250W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-220-3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Through Hole
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:3249pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:146nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):650V
Detaylı Açıklama:N-Channel 650V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):28A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar