EPC2103ENGRT
- Parça Numarası:
- EPC2103ENGRT
- Üretici firma:
- EPC
- Açıklama:
- TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 56486 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- EPC2103ENGRT.pdf
Giriş
We can supply EPC2103ENGRT, use the request quote form to request EPC2103ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2103ENGRT.The price and lead time for EPC2103ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2103ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-EPC2103ENGRT |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 7mA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Die |
| Dizi: | eGaN® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Güç - Max: | - |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | 917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6.5nC @ 5V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Özelliği: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 80V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 23A |
| Email: | [email protected] |
EPC2103ENGRT için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | soruşturma |
 |
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | soruşturma |
|
EPC2102 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | soruşturma |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
 |
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | soruşturma |
|
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2101 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | soruşturma |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | soruşturma |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE | soruşturma |
|
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | soruşturma |
|
EPC2104 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | soruşturma |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE | soruşturma |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | soruşturma |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | soruşturma |
|
EPC2103 | EPC | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | soruşturma |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | soruşturma |
Latest Haberleri
- ADI, endüstrinin önde gelen 10MB otomobil Ethernet teknolojisini başlatmak için BMW Group ile işbirliği yapıyor ve yazılım tanımı otomobillerinde yeni bir bölüm açıyor
- Vishay, Endüstriyel ve Ses Uygulama Tasarımını Basitleştirerek ve Maliyetleri Optimize Eden Knob Potansiyometresini başlattı
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı
- Vishay, yeni 10 MBD düşük güçlü ışık kuplajını başlattı, 5 Ma kadar düşük, voltaj aralığı 2.7 V ila 5.5 V
- Melexis, güvenilir güvenliği entegre etmek için yeni bir akıllı yönlendirme çözümü başlattı
- Toshiba, endüstriyel ekipmanların verimli ve minyatürleştirilmesine yardımcı olmak için endüstrinin ilk 2200V çift -karbür mosfet modülünü geliştirdi.