DMN30H4D0LFDE-13
- Parça Numarası:
- DMN30H4D0LFDE-13
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 85518 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- DMN30H4D0LFDE-13.pdf
Giriş
We can supply DMN30H4D0LFDE-13, use the request quote form to request DMN30H4D0LFDE-13 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMN30H4D0LFDE-13.The price and lead time for DMN30H4D0LFDE-13 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMN30H4D0LFDE-13.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-DMN30H4D0LFDE-13 |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 630mW (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | DMN30H4D0LFDE-13DI |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 16 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 187.3pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 7.6nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.7V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 300V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 550mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
DMN30H4D0LFDE-13 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı
- Vishay, yeni 10 MBD düşük güçlü ışık kuplajını başlattı, 5 Ma kadar düşük, voltaj aralığı 2.7 V ila 5.5 V
- Melexis, güvenilir güvenliği entegre etmek için yeni bir akıllı yönlendirme çözümü başlattı
- Toshiba, endüstriyel ekipmanların verimli ve minyatürleştirilmesine yardımcı olmak için endüstrinin ilk 2200V çift -karbür mosfet modülünü geliştirdi.
- DDR5 dönemi yaklaşıyor ve yeni zorluklar göz ardı edilemez
- Renesas bir sonraki nesil CAR SOC ve MCU İşlemci Ürün Rota Haritası'nı açar