APT10M11JVRU3
- Parça Numarası:
- APT10M11JVRU3
- Üretici firma:
- Microsemi
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 49222 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- 1.APT10M11JVRU3.pdf2.APT10M11JVRU3.pdf
Giriş
We can supply APT10M11JVRU3, use the request quote form to request APT10M11JVRU3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT10M11JVRU3.The price and lead time for APT10M11JVRU3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT10M11JVRU3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-APT10M11JVRU3 |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-227 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 11 mOhm @ 71A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 450W (Tc) |
| paketleme: | Bulk |
| Paket / Kutu: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Diğer isimler: | APT10M11JVRU3MI APT10M11JVRU3MI-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Chassis Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 32 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 142A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
APT10M11JVRU3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | soruşturma |
|
APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | soruşturma |
 |
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | soruşturma |
 |
APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | soruşturma |
 |
APT10SCD120B | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | soruşturma |
 |
APT10SCD120K | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 | soruşturma |
|
APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | soruşturma |
|
APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | soruşturma |
 |
APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | soruşturma |
|
APT10SCD65KCT | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | soruşturma |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | soruşturma |
|
APT10SCD65K | Microsemi | DIODE SILICON 650V 17A TO220 | soruşturma |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | soruşturma |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | soruşturma |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | soruşturma |
|
APT10SCD120BCT | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | soruşturma |
 |
APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | soruşturma |
 |
APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | soruşturma |
|
APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | soruşturma |
|
APT100S20LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 | soruşturma |
Latest Haberleri
- ADI, endüstrinin önde gelen 10MB otomobil Ethernet teknolojisini başlatmak için BMW Group ile işbirliği yapıyor ve yazılım tanımı otomobillerinde yeni bir bölüm açıyor
- Vishay, Endüstriyel ve Ses Uygulama Tasarımını Basitleştirerek ve Maliyetleri Optimize Eden Knob Potansiyometresini başlattı
- Toshiba, gömülü mikrodenetleyiciyle SmartMCD Serisi Gate Driver IC'yi başlattı
- ADI Dağıtım Sambanova Kiti, bir işletme düzeyinde atılım elde etmek için üretim formülü AI'sını teşvik etmek
- Honeywell ve Adi, bina otomasyonunun yeniliğini ve değişimini teşvik etmek için ellere katıldı
- Maxim lansmanı duyurdu
- Maxim, entegre USB şarj numaralandırıcıları olan bir araba olan bir araba DC-DC dönüştürücü Max16984'ü başlattı
- Renesas Electronics, endüstrinin ilk programlanabilir elektrikli sürücü IC'sini başlattı
- Renesas ilk nesil 32 bit RISC-V CPU çekirdeğini başlattı
- Vishay, yeni 10 MBD düşük güçlü ışık kuplajını başlattı, 5 Ma kadar düşük, voltaj aralığı 2.7 V ila 5.5 V
- Melexis, güvenilir güvenliği entegre etmek için yeni bir akıllı yönlendirme çözümü başlattı
- Toshiba, endüstriyel ekipmanların verimli ve minyatürleştirilmesine yardımcı olmak için endüstrinin ilk 2200V çift -karbür mosfet modülünü geliştirdi.