Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT - Single > APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
Artikelnummer:
APT75GP120B2G
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
85880 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
1.APT75GP120B2G.pdf2.APT75GP120B2G.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply APT75GP120B2G, use the request quote form to request APT75GP120B2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT75GP120B2G.The price and lead time for APT75GP120B2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT75GP120B2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-APT75GP120B2G
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 75A
Testvillkor:600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (på / av) @ 25 ° C:20ns/163ns
Växla energi:1620µJ (on), 2500µJ (off)
Serier:POWER MOS 7®
Effekt - Max:1042W
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3 Variant
Andra namn:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:23 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inmatningstyp:Standard
IGBT-typ:PT
Gate Charge:320nC
detaljerad beskrivning:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm):300A
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max):100A
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT75GP120B2G

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Förfrågan
APT75GT120JU3 Image APT75GT120JU3 Microsemi POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 Förfrågan
APT75GT120JRDQ3 Image APT75GT120JRDQ3 Microsemi IGBT 1200V 97A 480W SOT227 Förfrågan
APT77N60JC3 Image APT77N60JC3 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 Förfrågan
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Förfrågan
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Förfrågan
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Förfrågan
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Förfrågan
APT75M50B2 Image APT75M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Förfrågan
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Förfrågan
APT75GN120B2G Image APT75GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TMAX Förfrågan
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Förfrågan
APT75GN60LDQ3G Image APT75GN60LDQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Förfrågan
APT75GT120JU2 Image APT75GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 100A 416W SOT227 Förfrågan
APT77N60BC6 Image APT77N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 Förfrågan
APT75M50L Image APT75M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Förfrågan
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Förfrågan
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 Förfrågan
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Förfrågan
APT77N60SC6 Image APT77N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK Förfrågan

Latest News