Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - IGBT - Single > APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
APT200GN60B2G
Artikelnummer:
APT200GN60B2G
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
IGBT 600V 283A 682W TO247
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
33082 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply APT200GN60B2G, use the request quote form to request APT200GN60B2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT200GN60B2G.The price and lead time for APT200GN60B2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT200GN60B2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-APT200GN60B2G
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max):600V
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic:1.85V @ 15V, 200A
Testvillkor:400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Td (på / av) @ 25 ° C:50ns/560ns
Växla energi:13mJ (on), 11mJ (off)
Serier:-
Effekt - Max:682W
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3
Andra namn:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:18 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inmatningstyp:Standard
IGBT-typ:Trench Field Stop
Gate Charge:1180nC
detaljerad beskrivning:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm):600A
Nuvarande - Samlare (Ic) (Max):283A
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT200GN60B2G

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK Förfrågan
APT2012LSECK/J3-PRV Image APT2012LSECK/J3-PRV Kingbright LED RED CLEAR 2SMD Förfrågan
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK Förfrågan
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Förfrågan
APT2012CGCK Image APT2012CGCK Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD Förfrågan
APT2012EC Image APT2012EC Kingbright LED RED CLEAR CHIP SMD Förfrågan
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Förfrågan
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK Förfrågan
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Förfrågan
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 Förfrågan
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Förfrågan
APT2012LSECK/J4-PRV Image APT2012LSECK/J4-PRV Kingbright LED ORANGE CLEAR 2SMD Förfrågan
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 Förfrågan
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 Förfrågan
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Förfrågan
APT2012F3C Image APT2012F3C Kingbright EMITTER IR 940NM 50MA 0805 Förfrågan
APT200GT60JR Image APT200GT60JR Microsemi IGBT 600V 195A ISOTOP Förfrågan
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 Förfrågan
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 Förfrågan
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 Förfrågan

Latest News