Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG
Artikelnummer:
APT10M09B2VFRG
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
39421 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
APT10M09B2VFRG.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply APT10M09B2VFRG, use the request quote form to request APT10M09B2VFRG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT10M09B2VFRG.The price and lead time for APT10M09B2VFRG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT10M09B2VFRG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-APT10M09B2VFRG
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:T-MAX™ [B2]
Serier:POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 50A, 10V
Effektdissipation (Max):625W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3 Variant
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:9875pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):100V
detaljerad beskrivning:N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT10M09B2VFRG

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Förfrågan
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Förfrågan
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Förfrågan
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Förfrågan
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Förfrågan
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Förfrågan
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Förfrågan
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Förfrågan
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 Förfrågan
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Förfrågan
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Förfrågan
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Förfrågan
APT106N60B2C6 Image APT106N60B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 Förfrågan
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Förfrågan
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Förfrågan
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Förfrågan
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Förfrågan
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Förfrågan

Latest News