NSVMUN2233T1G
- Тип продуктов:
- NSVMUN2233T1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Описание:
- TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 50616 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- NSVMUN2233T1G.pdf
Введение
We can supply NSVMUN2233T1G, use the request quote form to request NSVMUN2233T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVMUN2233T1G.The price and lead time for NSVMUN2233T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVMUN2233T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-NSVMUN2233T1G |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 100mA |
| Напряжение - Разбивка: | SC-59-3 |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 50V |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом): | 4.7k |
| Резистор - Base (R1) (Ом): | - |
| Мощность - Макс: | 230mW |
| поляризация: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Коэффициент шума (дБ Typ @ F): | 47k |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Номер детали производителя: | NSVMUN2233T1G |
| Частота - Переход: | 80 @ 5mA, 10V |
| Расширенное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59-3 |
| Описание: | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500nA |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | NPN - Pre-Biased |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NSVMUN2233T1G
Latest Новости
- Onsemi запустил первую в мире платную упаковку 650 В кремниевого карбида MOSFET
- Комплект для разработки двигателей ON Semiconductor в первую очередь ориентирован на энергоэффективность
- Кремниевый фотоумножитель (SiPM) ON Semiconductor для лидара с прямым временем пролета (dToF) предоставляет готовые конструкции для промышленных приложений измерения дальности
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International устанавливают партнерские отношения в области управления двигателями
- ON Semiconductor назначает Хассана Эль-Хури преемником генерального директора (генерального директора)