NSVBAS21SLT1G
- Тип продуктов:
- NSVBAS21SLT1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Описание:
- DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 53780 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- NSVBAS21SLT1G.pdf
Введение
We can supply NSVBAS21SLT1G, use the request quote form to request NSVBAS21SLT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVBAS21SLT1G.The price and lead time for NSVBAS21SLT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVBAS21SLT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-NSVBAS21SLT1G |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.25V @ 200mA |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 250V |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23-3 (TO-236) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 50ns |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Другие названия: | NSVBAS21SLT1G-ND NSVBAS21SLT1GOSTR |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 36 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 100µA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 225mA (DC) |
| Емкостной @ В.Р., F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NSVBAS21SLT1G
Latest Новости
- Onsemi запустил первую в мире платную упаковку 650 В кремниевого карбида MOSFET
- Комплект для разработки двигателей ON Semiconductor в первую очередь ориентирован на энергоэффективность
- Кремниевый фотоумножитель (SiPM) ON Semiconductor для лидара с прямым временем пролета (dToF) предоставляет готовые конструкции для промышленных приложений измерения дальности
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International устанавливают партнерские отношения в области управления двигателями
- ON Semiconductor назначает Хассана Эль-Хури преемником генерального директора (генерального директора)