Внутренний номер детали | RO-IRF6619 |
---|---|
Состояние | Original New |
Страна происхождения | Contact us |
Топ маркировки | email us |
замена | See datasheet |
Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
Vgs (макс.): | ±20V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | DIRECTFET™ MX |
Серии: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | DirectFET™ Isometric MX |
Другие названия: | IRF6619TR SP001526848 |
Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 5040pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 57nC @ 4.5V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
Подробное описание: | N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 30A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |