русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT10090BFLLG
APT10090BFLLG
APT10090BFLLG
Тип продуктов:
APT10090BFLLG
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
70893 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT10090BFLLG.pdf
запрос

Введение

We can supply APT10090BFLLG, use the request quote form to request APT10090BFLLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT10090BFLLG.The price and lead time for APT10090BFLLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT10090BFLLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT10090BFLLG
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - испытания:1969pF @ 25V
Напряжение - Разбивка:TO-247 [B]
Vgs (й) (Max) @ Id:950 mOhm @ 6A, 10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:POWER MOS 7®
Статус RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12A (Tc)
поляризация:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:APT10090BFLLG
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:71nC @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:5V @ 1mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1000V (1kV)
Коэффициент емкости:298W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT10090BFLLG

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 запрос
APT10035B2FLLG Image APT10035B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX запрос
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 запрос
APT10078SLLG Image APT10078SLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK запрос
APT100GN120JDQ4 Image APT100GN120JDQ4 Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 запрос
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT запрос
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 запрос
APT10045B2LLG Image APT10045B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX запрос
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 запрос
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 запрос
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 запрос
APT10045JLL Image APT10045JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 запрос
APT1003RKLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 запрос
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 запрос
APT1003RBLLG Image APT1003RBLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 запрос
APT10035B2LLG Image APT10035B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX запрос
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX запрос
APT10035JLL Image APT10035JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 запрос
APT10035LLLG Image APT10035LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 запрос
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 запрос

Latest Новости