2N5551G
- Тип продуктов:
- 2N5551G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Описание:
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 61525 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 2N5551G.pdf
Введение
We can supply 2N5551G, use the request quote form to request 2N5551G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N5551G.The price and lead time for 2N5551G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N5551G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-2N5551G |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 160V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 625mW |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Другие названия: | 2N5551G-ND 2N5551GOS |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 300MHz |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 50nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 600mA |
| Номер базового номера: | 2N5551 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для 2N5551G
Latest Новости
- Onsemi запустил первую в мире платную упаковку 650 В кремниевого карбида MOSFET
- Комплект для разработки двигателей ON Semiconductor в первую очередь ориентирован на энергоэффективность
- Кремниевый фотоумножитель (SiPM) ON Semiconductor для лидара с прямым временем пролета (dToF) предоставляет готовые конструкции для промышленных приложений измерения дальности
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International устанавливают партнерские отношения в области управления двигателями
- ON Semiconductor назначает Хассана Эль-Хури преемником генерального директора (генерального директора)