VT6M1T2CR
- Modelo do Produto:
- VT6M1T2CR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 35863 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.VT6M1T2CR.pdf2.VT6M1T2CR.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-VT6M1T2CR |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 100µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VMT6 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Power - Max: | 120mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-SMD, Flat Leads |
| Outros nomes: | VT6M1T2CRTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 17 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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