TSM70N600CH C5G
TSM70N600CH C5G
Modelo do Produto:
TSM70N600CH C5G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40216 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TSM70N600CH C5G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TSM70N600CH C5G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251 (IPAK)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):83W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:TSM70N600CH C5G-ND
TSM70N600CHC5G
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:52 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:743pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):700V
Descrição detalhada:N-Channel 700V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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