TSM180N03PQ33 RGG
TSM180N03PQ33 RGG
Modelo do Produto:
TSM180N03PQ33 RGG
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42140 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TSM180N03PQ33 RGG.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TSM180N03PQ33 RGG
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PDFN (3x3)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):21W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:TSM180N03PQ33 RGGTR
TSM180N03PQ33 RGGTR-ND
TSM180N03PQ33RGGTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:345pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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