STI100N10F7
STI100N10F7
Modelo do Produto:
STI100N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET
Quantidade em estoque:
57877 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STI100N10F7.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-STI100N10F7
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK (TO-262)
Série:STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:38 Weeks
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A
Email:[email protected]

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