STB80NF55L-08-1
STB80NF55L-08-1
Modelo do Produto:
STB80NF55L-08-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
80430 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STB80NF55L-08-1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-STB80NF55L-08-1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:STripFET™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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