STB18N60M2
STB18N60M2
Modelo do Produto:
STB18N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 600V D2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
61982 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STB18N60M2.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-STB18N60M2
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:MDmesh™ II Plus
RDS ON (Max) @ Id, VGS:280 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):110W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:497-13933-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:791pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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