Número de peça interno | RO-SQ4917EY-T1_GE3 |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Tensão - Teste: | 1910pF @ 30V |
Tensão - Breakdown: | 8-SO |
VGS (th) (Max) @ Id: | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8A (Tc) |
Power - Max: | 5W (Tc) |
Polarização: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Outros nomes: | SQ4917EY-T1_GE3TR |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SQ4917EY-T1_GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 65nC @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
Característica FET: | 2 P-Channel (Dual) |
Descrição expandida: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | Standard |
Descrição: | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 60V |
Email: | [email protected] |