SPD02N60C3BTMA1
SPD02N60C3BTMA1
Modelo do Produto:
SPD02N60C3BTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46232 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SPD02N60C3BTMA1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SPD02N60C3BTMA1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 80µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):25W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SP000013693
SP000077610
SPD02N60C3
SPD02N60C3BTMA1TR
SPD02N60C3INTR
SPD02N60C3INTR-ND
SPD02N60C3T
SPD02N60C3T-ND
SPD02N60C3ZT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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