SPB10N10L G
- Modelo do Produto:
- SPB10N10L G
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53716 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SPB10N10L G.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SPB10N10L G |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 21µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO263-3-2 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 50W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 444pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
