SIR492DP-T1-GE3
SIR492DP-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIR492DP-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31343 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SIR492DP-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SIR492DP-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):4.2W (Ta), 36W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8
Outros nomes:SIR492DP-T1-GE3TR
SIR492DPT1GE3
Temperatura de operação:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3720pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:N-Channel 12V 40A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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