SIHF12N60E-GE3
SIHF12N60E-GE3
Modelo do Produto:
SIHF12N60E-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
89286 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SIHF12N60E-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SIHF12N60E-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220 Full Pack
Série:E
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):33W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:SIHF12N60E-GE3-ND
SIHF12N60E-GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:937pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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