SI1405BDH-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1405BDH-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
66767 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI1405BDH-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI1405BDH-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6 (SOT-363)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SI1405BDH-T1-GE3CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:305pF @ 4V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição detalhada:P-Channel 8V 1.6A (Tc) 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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