SI1065X-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI1065X-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45610 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SI1065X-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-SI1065X-T1-GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SC-89-6 |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 236mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | SI1065X-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 6V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 12V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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