RFD14N05SM9A
Modelo do Produto:
RFD14N05SM9A
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
87392 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.RFD14N05SM9A.pdf2.RFD14N05SM9A.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-RFD14N05SM9A
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252AA
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max):48W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:RFD14N05SM9ACT
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):50V
Descrição detalhada:N-Channel 50V 14A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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