R6020ANX
R6020ANX
Modelo do Produto:
R6020ANX
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40948 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
R6020ANX.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-R6020ANX
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220FM
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:220 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2040pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 20A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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