Número de peça interno | RO-PSMN4R0-40YS,115 |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | LFPAK56, Power-SO8 |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.2 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 106W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
Outros nomes: | 1727-4273-2 568-4905-2 568-4905-2-ND 934063937115 PSMN4R040YS115 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2410pF @ 20V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
Descrição detalhada: | N-Channel 40V 100A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |