NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG
Modelo do Produto:
NTLJS2103PTBG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31898 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTLJS2103PTBG.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NTLJS2103PTBG
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:µCool™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:NTLJS2103PTBG-ND
NTLJS2103PTBGOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1157pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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