NTHD3101FT3G
NTHD3101FT3G
Modelo do Produto:
NTHD3101FT3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33967 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTHD3101FT3G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NTHD3101FT3G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ChipFET™
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 3.2A (Tj) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tj)
Email:[email protected]

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