NTB35N15T4G
NTB35N15T4G
Modelo do Produto:
NTB35N15T4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
73600 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTB35N15T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NTB35N15T4G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Teste:3200pF @ 25V
Tensão - Breakdown:D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id:50 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:37A (Ta)
Polarização:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:NTB35N15T4GOS
NTB35N15T4GOS-ND
NTB35N15T4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:25 Weeks
Número de peça do fabricante:NTB35N15T4G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:100nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 150V 37A (Ta) 2W (Ta), 178W (Tj) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:150V
Rácio de capacitância:2W (Ta), 178W (Tj)
Email:[email protected]

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