内部モデル | RO-NTB35N15T4G |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 3200pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | D2PAK |
同上@ VGS(TH)(最大): | 50 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs(最大): | 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 37A (Ta) |
偏光: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | NTB35N15T4GOS NTB35N15T4GOS-ND NTB35N15T4GOSTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 25 Weeks |
製造元の部品番号: | NTB35N15T4G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 100nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 150V 37A (Ta) 2W (Ta), 178W (Tj) Surface Mount D2PAK |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 150V |
静電容量比: | 2W (Ta), 178W (Tj) |
Email: | [email protected] |