NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G
Modelo do Produto:
NSS35200CF8T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
64949 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NSS35200CF8T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-NSS35200CF8T1G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):35V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 20mA, 2A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:ChipFET™
Série:-
Power - Max:635mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:NSS35200CF8T1G-ND
NSS35200CF8T1GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:100MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1.5A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Número da peça base:NSS35200
Email:[email protected]

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